[发明专利]一种纳米硅薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 92114905.0 | 申请日： | 1992-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN1032659C | 公开（公告）日： | 1996-08-28 |
| 发明（设计）人： | 何宇亮 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | C23C16/24 | 分类号： | C23C16/24;C23C16/50 |
| 代理公司： | 北京市第九专利代理事务所 | 代理人： | 李有浩 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 用等离子化学沉积系统制备纳米硅薄膜的方法，首先启动抽真空系统将反应室内真空度达到2×10-3乇，打开电炉加热，衬底温升到一定温度，将纯度为99.999％的氢气注入反应室内，打开R.F交流电源，保持反应室内为2×10-3乇真空度，通入混合的硅烷气，调整合适的交流电源功率，打开D.C电源，调好直流负偏压值，即开始沉积并结成纳米硅薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种使用等离子体化学汽相沉积(PECVD)制备纳米硅薄膜的方法，其特征在于采用高氨稀释比的混合硅烷气作为沉积纳米硅薄膜的反应气源，其稀释比为c＝SiH4/SiH4＋H2＝(0.5～2.0)％；同时在使用射频功率电源(R.F)时施加直流功率电源(D.C)，其直流负偏压调至200～300V左右。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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