[发明专利]绿色立方氧化锆晶体的生长方法在审
| 申请号： | 91111945.0 | 申请日： | 1991-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1062179A | 公开（公告）日： | 1992-06-24 |
| 发明（设计）人： | 张莲花;王文华;崇志华 | 申请（专利权）人： | 天津市硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B29/22;C30B15/00;C01G25/02 |
| 代理公司： | 天津市第一轻工业局专利事务所 | 代理人： | 胡凤梧 |
| 地址： | 300232 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及的是一种采用冷坩埚法生长绿色立方氧化锆晶体的方法。其着色剂为氧化铜和氧化铥，经处理后，加在氧化锆和氧化钇的基质原料中，采用高频加热，获得立方氧化锆晶体，再经退火，即可获得高雅大方，光彩夺目的稀有人工绿色立方氧化锆晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 绿色 立方 氧化锆 晶体 生长 方法 | ||
【主权项】：
1、一种冷坩埚法生长立方氧化锆的方法，基质原料是由氧化锆和氧化钇组成，其特征是在1/10-1/30的基质原料中加入氧化铜，经混合后放入刚玉坩埚中进行烧结，制成混合料，在这种混合料中加入氧化铥，经混合后制成掺质着色料，将其余基质材料装入坩埚内，再将掺质着色料放在基质料的中部，采用高频加热，冷坩埚下降法进行生长，所生长晶体再经退火，即获得绿色立方氧化锆晶体。
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