[发明专利]制备选择晶体生长基片的方法无效
| 申请号： | 90104926.3 | 申请日： | 1990-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN1020025C | 公开（公告）日： | 1993-03-03 |
| 发明（设计）人： | 西田彰志;米原隆夫 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 范本国 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制备选择晶体生长基片的方法，该方法包括使具有一层包含具有较高成核密度的第一种材料和一层包含具有比第一种材料成核密度低并迭加在第一层上的第二种材料的基片在包含第二种材料层的所需区域集中施加电场，从而清除该区域使包含第一种材料层暴露出来。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 选择 晶体生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备选择晶体生长基片的方法，包括使具有一层包含具有较高成核密度的第一种材料和一层包含具有比所说第一种材料成核密度低并迭加在第一层上的第二种材料的基片在包含所说第二种材料层的所需区域集中施加电场，从而清除所说区域使包含所说第一种材料层暴露出来。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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