[发明专利]制备选择晶体生长基片的方法

权利要求书

1、一种制备选择晶体生长基片的方法，包括使具有一层包含具有较高成核密度的第一种材料和一层包含具有比所说第一种材料成核密度低并迭加在第一层上的第二种材料的基片在包含所说第二种材料层的所需区域集中施加电场，从而清除所说区域使包含所说第一种材料层暴露出来。

2、根据权利要求1制备选择晶体生长基片的方法，其中所说的第一种材料是导电性材料。

3、根据权利要求1制备选择晶体生长基片的方法，其中所说的第二种材料是绝缘性材料。

4、根据权利要求1制备选择晶体生长基片的方法，其中在包含所说第一种材料导的暴露位置有多个。

5、根据权利要求1制备选择晶体生长基片的方法，其中施加所说电场是施加包含所说第二材料层的电介质击穿强度电压的50%或大于50%和小于100%。

6、根据权利要求1制备晶体选择生长基片的方法，其中所说施加电场是在所说基片和电接触点之间进行的。

7、根据权利要求6制备选择晶体生长基片的方法，其中所说电接触点具有柱状形状。

8、如权利要求1所述的制备选择晶体生长基片的方法，其中所述的清除所说区域从而使包含上述的第一材料的层暴露出来这一步骤这样进行，即使得被暴露层区域具有足够微小的面积，从而只形成一个单核，从这个单核再生长出上述的单晶。

9、如权利要求8所述的制备选择晶体生长基片的方法，其中通过采用气相方片进行晶体生长处理并且允许晶体从上述的单核生长的方法来形成上述的单核。

10、根据权利要求8的制备选择晶体生长基片的方法，其中所说第一种材料是导电性材料。

11、根据权利要求8的制备选择晶体生长基片的方法，其中所说第一种材料是绝缘性材料。

12、根据权利要求8的制备选择晶体生长基片的方法，其中第一种材料层暴露出的位置有多个。

13、根据权利要求8的制备选择晶体生长基片的方法，其中所说电场的施加是施加包含所说第二种材料电介质击穿强度电压的50%或大于50%和小于100%。

14、根据权利要求8的制备选择晶体生长基片的方法，其中所说施加电场是在所说基片和电接触点之间进行的。

15、根据权利要求14的制备选择晶体生长基片的方法，其中民说电接触点具有柱状形状。