[发明专利]钕铁硼制品镀覆有机膜的方法及装置无效
| 申请号： | 90104215.3 | 申请日： | 1990-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN1021350C | 公开（公告）日： | 1993-06-23 |
| 发明（设计）人： | 梁素珍;金心宇;陈抗生;张一峰;徐电 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C23C14/12 | 分类号： | C23C14/12;C23C14/56 |
| 代理公司： | 浙江大学专利代理事务所 | 代理人： | 连寿金 |
| 地址： | 3100*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种钕铁硼制品镀覆有机膜的方法及装置，其特征是以有机硅单位和甲苯的等离子体聚合在钕铁硼制品上形成有机膜，镀覆装置设有使气氛均匀的充气器，上极板接射频功率源，上、下极板间距为20～30mm。同现有技术比较，其突出的优点是镀层薄，厚度均匀，镀层与基体结合牢固，抗腐蚀力强，不影响钕铁硼元件的安装尺寸和磁特性。 | ||
| 搜索关键词： | 钕铁硼 制品 镀覆 有机 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种钕铁硼制品镀履有机膜的方法，包括真空系统排气至0.13Pa数量级，上极板接射频功率源，下极板接地，充入有机气体，产生等离子体聚合，控制镀层厚度，其特征在于：充入的有机气体为有机硅单体和甲苯混合气，其中有机硅单体含量(重量百分比)为96％～80％，甲苯含量(重量百分比)为4％～20％，有机气体流量为0.5～5ml/sec，气体压力为0.34～2.67Pa，采用射频功率为40～70W，其功率密度为0.06～0.11W/cm2。
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