[发明专利]钕铁硼制品镀覆有机膜的方法及装置

权利要求书

1、一种钕铁硼制品镀履有机膜的方法，包括真空系统排气至0.13Pa数量级，上极板接射频功率源，下极板接地，充入有机气体，产生等离子体聚合，控制镀层厚度，其特征在于：充入的有机气体为有机硅单体和甲苯混合气，其中有机硅单体含量(重量百分比)为96%～80%，甲苯含量(重量百分比)为4%～20%，有机气体流量为0.5～5ml/sec，气体压力为0.34～2.67Pa，采用射频功率为40～70W，其功率密度为0.06～0.11W/cm²。

2、根据权利要求1的方法，其特征在于：有机气体中有机硅单体含量（重量百分比）为88%～94%，甲苯含量（重量百分比）为12%～6%，气体流量为1～3ml/sec，气体压力为0.67～2.67Pa，采用射频功率为50～60W，其功率密度为0.06～0.11W/cm²。

3、一种钕铁硼制品镀覆有机膜的装置，包括真空系统，与射频功率源相连接的上极板，接地的下极板，屏蔽板，充气器，其特征在于：

-上极板31，屏蔽板4以及充气器2布置在真空室1的上部，下极板及工件6布置在真空室1的下部，上极板31与下极板51间距离为20～30mm;

-上极板31呈碟状，其底部开有若干个通气孔，上端采用螺钉33固定在与进气管21相连接的电极盖板32上;

-充气器2由充气管21、电极盖板32、喷气头22、上极板31以及螺钉33组成，充气管21布置在真空室1的轴线上，其外部包有绝缘套管23和金属套管24，电极盖板32固定在充气管21的端部，喷气头22呈碟状，其底部和四周开有若干个喷气孔，上端部固定在电极盖板32上，底部开有通气孔的上极板31布置在喷气头22的下方，采用螺钉33固定在电极盖板32上;

-屏蔽板4位于电极盖板32上方，采用螺母25与金属套管24连接;

-兼作工件架的下极板51搁置在由电极支架53支撑的热屏蔽板52上;

-下极板51和热屏蔽板52之间设有用于加热工件6的卤钨灯54。

4、根据权利要求3的装置，其特征在于：喷气头22上的喷气孔孔径为Φ2～Φ4mm，上极板31底部的通气孔孔径为Φ2～Φ3mm。