[其他]压接触GTO-可控硅整流器无效
| 申请号： | 87105600 | 申请日： | 1987-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN1003203B | 公开（公告）日： | 1989-02-01 |
| 发明（设计）人： | 安德烈·杰克林;蒂博尔·帕科西;沃尔夫冈·齐默曼 | 申请（专利权）人： | BBC勃朗·勃威力有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L21/60;H01L23/48 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 吴秉芬 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在采用直接压接件的GTO——可控硅整流器情况下，由于对半导体片(2)和压接件(1，3)的表面平整度、对压接件(1，3)的对中，以及对其边缘的安排提出了特殊的要求，从而制成了一个具有极好负荷变换稳定性，可实用的构件。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 gto 可控 硅整流器 | ||
【主权项】：
1.压接触GTO-可控硅整流器，包括a)一个安装在阴极面同阳极面之间，具有各种不同掺杂层的半导体片(2)，b)所述半导体片(2)至少在阴极面处做成台面形，并具有由多个凸起的阴极凸台(7)的栅设-阴极结构，这些阴极凸台被深处的栅极区包围，以及c)半导体片(2)在其阴极凸台(7)上总是复盖着一层金属化阴极层(6)，阳极面处总是复盖着一层金属化阳极层；并带有d)一个阴极面的片形压接件和一个阳极面的片形压接件(1、3)，这些片形压接件被压在阴极层及阳极层上，以实现接触连接，其特征在于e)压接件(1，3)与半导体片(2)的压力荷载接触面上的平面偏差小于±5微米，和f)压接件(1，3)相互对准，以使它们中心轴之间的相互偏差小于500微米。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于BBC勃朗·勃威力有限公司，未经BBC勃朗·勃威力有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/87105600/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于机械喷镀的喷砂材料和使用喷砂材料的连续机械喷镀
- 下一篇：前端系统
- 同类专利
- 专利分类
