[其他]半导体致冷式负离子发生器无效
| 申请号： | 86204384 | 申请日： | 1986-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN86204384U | 公开（公告）日： | 1987-04-01 |
| 发明（设计）人： | 侯小迅 | 申请（专利权）人： | 五二八五四部队 |
| 主分类号： | A61L9/22 | 分类号： | A61L9/22;F25B21/00 |
| 代理公司： | 北京市专利事务所 | 代理人： | 王敬智,李桂玲 |
| 地址： | 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 半导体致冷式负离子发生器是把半导体致冷技术和负氧离子发生器溶为一体的一种新型家用电器产品。它利用水的循环、雾化过程同空气进行热交换，从而达到除尘、电离、降温和产生空气负离子的目的。其特点是耗电小(250W～350W)、结构简单，致冷效果明显(20m2房间可降温5～7℃，湿度可提高20～40％)、负离子浓度大、不产生臭氧、造价低、是一种介于空调器和电风扇之间的过渡型产品。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 致冷 负离子 发生器 | ||
【主权项】：
1、一种半导体致冷式负离子发生器，具有时间继电器(4)、自保电路(5)、仪表板(6)、导向叶片(8)、排气窗(11)、轴流风机(12)、进气道(13)、散热窗(15)、塑料机壳(24)，其特征在于，所说的负离子发生器的中部设一半球形雾化室(7)，雾化室底部与水箱系统相连接，上部出口装有过滤网(9)，并设有雾化喷头(10)、高压电源(14)和由风冷型半导体致冷器件做成的冷源。
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