[其他]多层外延砷化镓的双源法和装置无效
| 申请号： | 86104689 | 申请日： | 1986-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN86104689A | 公开（公告）日： | 1988-01-27 |
| 发明（设计）人： | 杨韧 | 申请（专利权）人： | 杨韧 |
| 主分类号： | H01L21/223 | 分类号： | H01L21/223;H01L21/205;C30B31/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 北京市6*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于掺杂的气相化学淀积技术领域。为解决掺Te或掺SnGaAs多层结构的制作，把重掺Te或Sn的GaAs单晶切片置于氯化物系统镓源后的腐蚀区作杂源，用磁拉方法改变两源的温度，以进行多层生长。用将衬底磁拉至微腐蚀区的方法，避开为生长新层而在反应管内建立新的气相组分过程中所引起的缓变层的生长。本法成本低，操作简便、安全，质量重复可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 外延 砷化镓 双源法 装置 | ||
【主权项】：
1、气相外延掺Te或掺SnGaAs，且在同一次中实现不同掺杂浓度的多层生长，本方法的特征是通过改变反应管内镓源和杂源温度，以调制不同的掺杂浓度，及至把镓源处于550℃以下的“休息”状态，实现重掺n++层的生长。同时，每层生长前，都是磁拉热容量小的托板及其上衬底至微腐蚀区进行气相腐蚀，以避开缓变层的生长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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