[其他]多层外延砷化镓的双源法和装置无效
| 申请号： | 86104689 | 申请日： | 1986-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN86104689A | 公开（公告）日： | 1988-01-27 |
| 发明（设计）人： | 杨韧 | 申请（专利权）人： | 杨韧 |
| 主分类号： | H01L21/223 | 分类号： | H01L21/223;H01L21/205;C30B31/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 北京市6*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多层 外延 砷化镓 双源法 装置 | ||
【权利要求书】：
1、气相外延掺Te或掺SnGaAs，且在同一次中实现不同掺杂浓度的多层生长，本方法的特征是通过改变反应管内镓源和杂源温度，以调制不同的掺杂浓度，及至把镓源处于550℃以下的“休息”状态，实现重掺n++层的生长。同时，每层生长前，都是磁拉热容量小的托板及其上衬底至微腐蚀区进行气相腐蚀，以避开缓变层的生长。
2、使用如权利要求1所述方法的装置，由反应管及其内的源、纳污管、衬底托板组成，其特征为在反应过程中通过外部线圈磁拉使其移动的镓源，及与其连结而又被多孔筛板隔开的杂源，通过另一组外部线圈磁拉的衬底托板，放在反应管底部的带有凹面的靠两个密合使逆流气体通过它的纳污管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
