[其他]半导体钾离子传感器无效
| 申请号： | 85205673 | 申请日： | 1985-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN85205673U | 公开（公告）日： | 1988-02-10 |
| 发明（设计）人： | 朱春生;黄德培;王德枌;付庭治;胡宏纹 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | G01N27/26 | 分类号： | G01N27/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 半导体钾离子传感器是一种电化学分析仪器的微型探头，它是由Mos管、敏感膜、电极杆组成，其特征是敏感膜用双冠醚组成，Mos管引出的探头接口处，用硅橡胶密封，能专一性的测定待测液钾离子活度。该电极具有性能稳定、灵敏度高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 离子 传感器 | ||
【主权项】：
1、一种由MOS管、敏感膜、电极杆所组成的半导体钾离子传感器，其特征是：用乙醇和乙醚预先处理，由MOS管栅极上引出的铂丝，然后在铂丝上涂复由双冠醚、四氢呋喃、PVC粉和邻苯二甲酸二丁酯制成的敏感膜，MOS管与铂丝接口处用硅橡胶密封成传感器的探头。
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