[其他]半导体器件及装置无效
| 申请号： | 85103373 | 申请日： | 1985-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN85103373A | 公开（公告）日： | 1986-12-31 |
| 发明（设计）人： | 吉多·皮特拉斯·色菲尔·康斯藤特·莱茉莉;卢克·约瑟夫·路易斯·冯登·波舍 | 申请（专利权）人： | 美国标准电气公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/74;H01L29/76 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 肖春京,郁玉成 |
| 地址： | 美国纽约*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本半导体器件和装置包括联结有接通器件(DM)和截止型器件(PM)的可控硅开关。该开关包含有一个PNP晶体管(T1)和一或两个NPN晶体管(T2，T3)，后者每一个的发射极是由分隔开的N+材料区所组成，其每个区完全被P+材料带包围。这条发射极或是船形的、并等间距地位于大体上是矩形的P+材料带旁边、该矩形带构成PNP晶体管(T1)的发射极；或是S形的，并等间距地位于PNP晶体管(T1)的S形发射极旁边。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 装置 | ||
【主权项】：
1、半导体器件，即包含至少一个第一导电类型(N)高掺杂材料的区(12)，该区被嵌入一个第二导电类型(P)材料的井(9)中，以允许电流在所说的井(9)与所说的区(12)之间流动，其特征在于，在所说的井(9)中，所说的区(12)至少部分地被一个所说的第二种导电类型(P)的高掺杂材料带(11)所包围，并允许电流在所说的井和所说的带之间流动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
