[其他]半导体器件及装置

权利要求书

1、半导体器件，即包含至少一个第一导电类型(N)高掺杂材料的区(12)，该区被嵌入一个第二导电类型(P)材料的井(9)中，以允许电流在所说的井(9)与所说的区(12)之间流动，其特征在于，在所说的井(9)中，所说的区(12)至少部分地被一个所说的第二种导电类型(P)的高掺杂材料带(11)所包围，并允许电流在所说的井和所说的带之间流动。

2、根据权利要求1的半导体器件，其特征在于所说的带（11）完完全全包围着所说的区（12）。

3、根据权利要求2的半导体器件，其特征在于该器件包含有多个所说的区（12），每一个区完完全全被所说的带（11）包围。

4、根据权利要求3的半导体器件，其特征在于所说的许多个区（12）是沿着一条被所说的带（11）包围着的波状线排列。

5、根据权利要求1的半导体器件，其特征在于所说的井（9）由P材料组成，所说的区（12）由N⁺材料组成，所说的带（11）由P⁺材料组成。

6、根据权利要求5的半导体器件，其特征在于该器件包括一个由一个PNP晶体管（T₁）和一个NPN晶体管（T₂）所组成的可控硅，这些晶体管在两个电源端（S₁、S₂）之间相互联接，S₁和S₂分别指定为所说的两个晶体管的发射极，所说的NPN晶体管（T₂）的基射结被一个截止型器件（PM）所分路，并且所说的PNP晶体管（T₁）的收集极和所说的NPN晶体管（T₂）的基极由所说的井（9）构成，所说的NPN晶体管（T₂）的发射极由所说的区（12）构成。所说的带（11）构成所说的截止型器件的一个输入电极。

7、根据权利要求6的半导体器件，其特征在于所说的截止型器件是由一个PMOS晶体管（PM）构成。

8、根据权利要求7的半导体器件，其特征在于所说的PMOS晶体管（PM）的源极由所说的P⁺材料的带（11）构成，其漏极由一个P⁺材料的第二带（10）构成，而在所说的带（10、11）之间有一个由N导电类型的轻掺杂材料（N^--）构成的蛇形沟道，并且有一个蛇形栅极（6）安放在上面所说的构道和所说的两个带边缘的上方。

9、根据权利要求8的半导体器件，其特征在于所说的P⁺材料带（10、11）比所说之井（9）具有较小的深度。

10、根据权利要求9的半导体器件，其特征在于所说之第一个P⁺材料带（11）的一部分沿着S形表面延伸，而所说之第二个P⁺材料带（10）的一部分沿着两个垂直的表面联结着S形表面的两端。

11、根据权利要求10的半导体器件，其特征在于所说的P⁺材料的第一个带（11）和第二个带（10）的另一部分划定了所说的蛇形沟道的界限，该沟道是在由上述垂直的和S形的边围成的区域内延伸。

12、根据权利要求11的半导体器件，其特征在于该器件具有一个S形的带有许多条状指状物（56、57）的第一导电条（53/54），所说的第一导电条和第一组指状物分别与所说之S形表面和所说的第一带的所说的另一部分相接。

13、根据权利要求11的半导体器件，其特征在于该器件含有一个具有第二组条状指状物（42、43）的第二导电条（13、14），所说的第二导电条和第二组指状物分别与所说的垂直表面和所说的第二带的所说的另一部分相接。

14、根据权利要求13的半导体器件，其特征在于所说的第二导电条（13、14）也与所说之N⁺材料区（12）相接，并且构成了所说的两个电源端（S₁、S₂）之一S₂。

15、根据权利要求13的半导体器件，其特征在于所说之第二组条状指状物中的一个指状物（49、43），其中部被断开，其面对所说的S形面的弯曲处有一个加大了的头部（48）并被连到所说之第二导电条（13）。