[其他]一种间接耦合的硅光敏器件无效
| 申请号： | 85100228 | 申请日： | 1985-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN85100228B | 公开（公告）日： | 1987-07-15 |
| 发明（设计）人： | 何民才 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01L31/10 | 分类号： | H01L31/10 |
| 代理公司： | 武汉大学专利事务所 | 代理人： | 龚茂铭 |
| 地址： | 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新结构的硅光敏器件。它与普通硅光敏器件不同，不是把输出光电流的二极管、三极管或达林顿结构晶体管直接做在接受入射光的PN结(简称受光PN结)上，而是把它们做在这个结的邻侧，抽取受光PN结的注入电流输出或放大后输出，由此组成一个光敏器件。这种结构能够避免受光PN结面积大造成硅光敏器件电特性差和成品率低等缺点，也为制造暗电流小、击穿电压好的新型硅光敏器件开辟了一条道路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 间接 耦合 光敏 器件 | ||
【主权项】：
1.一个由平面工艺制作的间接耦合硅光敏器件，它由受光PN结(11)、隔离区(12)和输出器件区(13)组成。其特征在于所说的受光PN结(11)和输出器件区(13)被隔离区(12)分子；所说的受光PN结(11)处于开路状态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
