[其他]一种间接耦合的硅光敏器件无效

申请号：	85100228	申请日：	1985-04-01
公开（公告）号：	CN85100228B	公开（公告）日：	1987-07-15
发明（设计）人：	何民才	申请（专利权）人：	武汉大学
主分类号：	H01L31/10	分类号：	H01L31/10
代理公司：	武汉大学专利事务所	代理人：	龚茂铭
地址：	湖北省武汉***	国省代码：	湖北;42
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摘要：
搜索关键词：	一种间接耦合光敏器件
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【权利要求书】：

1、一个由平面工艺制作的间接耦合硅光敏器件，它由受光PN结（11），隔离区（12）和输出器件区（13）组成。其特征在于所说的受光PN结（11）和输出器件区（13）被隔离区（12）分子;所说的受光PN结（11）处于开路状态。

2、按权利要求1所规定的硅光敏器件，其特征在于所说的隔离区（12）的宽度为7-15μm。

3、按权利要求1或2所规定的硅光敏器件，其特征在于所说的输出器件区（13）中的器件可以是二极管、三极管或达林顿晶体管。

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