[实用新型]一种集成补偿元的阵列型红外传感器有效
| 申请号: | 202320338408.4 | 申请日: | 2023-02-28 |
| 公开(公告)号: | CN219610439U | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
| 发明(设计)人: | 古瑞琴;汪静;杨志博;郭海周 | 申请(专利权)人: | 郑州炜盛电子科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L31/101;H01L31/0216;H01L31/024 |
| 代理公司: | 郑州德勤知识产权代理有限公司 41128 | 代理人: | 武亚楠 |
| 地址: | 450001 河南省*** | 国省代码: | 河南;41 |
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| 摘要: | 本实用新型提供一种集成补偿元的阵列型红外传感器,其包括衬底,以及设置在衬底上的N个敏感元和补偿元,每个所述敏感元均包括薄膜层Ⅰ和钝化层,所述补偿元包括薄膜层Ⅱ和遮光层;所述补偿元的一侧,通过电级线Ⅰ分别连接各个敏感元的一侧;所述补偿元的另一侧,设置有用于连接电源负极的电级线Ⅱ;各个所述敏感元的另一侧,设置有用于连接电源正极的电级线Ⅲ。因此,本实用新型能够缩小阵列型红外传感器的整体尺寸,还将温度补偿区域和敏感元区域的阵列集成化。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 集成 补偿 阵列 红外传感器 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





