[实用新型]一种集成补偿元的阵列型红外传感器有效
| 申请号: | 202320338408.4 | 申请日: | 2023-02-28 |
| 公开(公告)号: | CN219610439U | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
| 发明(设计)人: | 古瑞琴;汪静;杨志博;郭海周 | 申请(专利权)人: | 郑州炜盛电子科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L31/101;H01L31/0216;H01L31/024 |
| 代理公司: | 郑州德勤知识产权代理有限公司 41128 | 代理人: | 武亚楠 |
| 地址: | 450001 河南省*** | 国省代码: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 集成 补偿 阵列 红外传感器 | ||
本实用新型提供一种集成补偿元的阵列型红外传感器,其包括衬底,以及设置在衬底上的N个敏感元和补偿元,每个所述敏感元均包括薄膜层Ⅰ和钝化层,所述补偿元包括薄膜层Ⅱ和遮光层;所述补偿元的一侧,通过电级线Ⅰ分别连接各个敏感元的一侧;所述补偿元的另一侧,设置有用于连接电源负极的电级线Ⅱ;各个所述敏感元的另一侧,设置有用于连接电源正极的电级线Ⅲ。因此,本实用新型能够缩小阵列型红外传感器的整体尺寸,还将温度补偿区域和敏感元区域的阵列集成化。
技术领域
本实用新型涉及光电传感器技术领域,具体的说,涉及了一种集成补偿元的阵列型红外传感器。
背景技术
光电传感器是一种将光信息转换为电信息的半导体器件,它具有灵敏度高、响应速度快,性能更优越的特点,已经渗透到我们生活的很多方面,在航空、石油、化工、国防、安全、城市建设和农业生产领域具有广泛的应用。
文献CN207250514U公开了一种阵列式光电传感器,其包括PCB板,以及设置在PCB板主体上的多个光敏器件,但这种结构的阵列式光电传感器中各个光敏器件之间是相互独立的,因此封装后体积较大。
需要说明的是,光电传感器通常采用光电导材料制成,在实际应用中,光电导材料比较容易受到温度的影响,温度高暗电阻会小,温度低暗电阻会高。同时这种传感器是以简单的串联电路为工作方式,电路中通常是光电传感器和负载电阻进行分压,当光电传感器受温度影响后电流发生变化了,而负载电阻上的电流不变化,则不能等比率变化,进而导致收集到的信号信息不准。
因此,在具体场景应用中,光电传感器信号稳定性易受到温度的影响,只有在相对稳定的温度环境下才能确保输出信号稳定。目前,通常采用热电制冷贴片和温度监测模块结合的方式,来稳定探测器的工作温度,但这样会导致体积增大,不利于小型化发展,且导致产品成本及客户应用成本增加。
为了解决以上存在的问题,人们一直在寻求一种理想的技术解决方案。
发明内容
本实用新型的目的是针对现有技术的不足,从而提供一种集成补偿元的阵列型红外传感器。
为了实现上述目的,本实用新型所采用的技术方案是:一种集成补偿元的阵列型红外传感器,其包括衬底,以及设置在衬底上的N个敏感元和补偿元,每个所述敏感元均包括薄膜层Ⅰ和钝化层,所述补偿元包括薄膜层Ⅱ和遮光层;
所述补偿元的一侧,通过电级线Ⅰ分别连接各个敏感元的一侧;
所述补偿元的另一侧,设置有用于连接电源负极的电级线Ⅱ;
各个所述敏感元的另一侧,设置有用于连接电源正极的电级线Ⅲ。
本实用新型的有益效果为:
1)本实用新型提供一种一体式阵列型红外传感器结构,通过将N个敏感元与衬底制备在一起,从而缩小阵列型红外传感器的整体尺寸,满足小型化需求;
2)本实用新型还将温度补偿区域和敏感元区域的阵列集成化,从而有效避免发生传感器受温度影响引起的信号输出不稳定性的情况。
附图说明
图1是本实用新型的立体结构示意图;
图2是本实用新型的俯视结构示意图;
图3是本实用新型的剖视结构示意图;
图4是本实用新型的封装后的结构示意图;
图5是本实用新型的信号传输示意图;
图中:1.衬底;2.敏感元;3.补偿元;201.钝化层;202.薄膜层Ⅰ;301.遮光层;302.薄膜层Ⅱ;
4.电级线Ⅰ;5.电级线Ⅱ;6.电级线Ⅲ;7.管帽;8.滤光片;9.管座。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





