[实用新型]一种MPCVD设备用气体均流装置有效
申请号: | 202320168991.9 | 申请日: | 2023-02-09 |
公开(公告)号: | CN219326831U | 公开(公告)日: | 2023-07-11 |
发明(设计)人: | 杨成武 | 申请(专利权)人: | 天津征惟半导体科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/448 | 分类号: | C23C16/448;C23C16/455 |
代理公司: | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 刘瑞华 |
地址: | 300304 天津市东丽区华明*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本实用新型提供一种MPCVD设备用气体均流装置,包括腔室,在所述腔室的顶部设有若干进气口;在腔室的底部设有若干出气口;并在所述腔室内部设有导流环,所述导流环被构置在水冷台的外侧,且所述进气口和所述出气口都设置在所述导流环的内侧。本实用新型一种MPCVD设备用气体均流装置,可有效约束反应气体在腔室中的扩散范围,均衡气体在基片周围的流通,增强反应气体在腔室内的均匀分布,促使气体均流,并可提升腔室内的压强。 | ||
搜索关键词: | 一种 mpcvd 备用 气体 装置 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的