[发明专利]一种LED芯片制备方法及LED芯片在审
| 申请号： | 202311083137.3 | 申请日： | 2023-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN116799120A | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 郭磊;董国庆;文国昇;金从龙 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 郑菁 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种LED芯片制备方法及LED芯片，方法包括提供一外延片；采用第一粗化液对砷化铝镓层进行粗化，并镀膜氧化铟锡；以及制备第一电极；然后进行研磨减薄，得到第三半成品芯片；在第三半成品芯片的一面镀膜共晶合金，以形成第二电极，得到第四半成品芯片；并通过第二粗化液对处理后的第四半成品芯片上的第二电极进行粗化，得到第五半成品芯片；分离第五半成品芯片上的芯粒，并基于蓝膜对第五半成品芯片进行扩张，再对分离后的芯粒的侧壁进行粗化，得到成品LED芯片。本发明通过对砷化铝镓层进行粗化达到初步提亮的效果，再通过对分离后的芯粒的侧壁进行粗化达到进一步提亮的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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