[发明专利]一种晶圆背面工艺的防离子污染的加工方法在审
| 申请号： | 202311038557.X | 申请日： | 2023-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN116759296A | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 黄庆波;蒋兴莉;严涛;胡傲雪 | 申请（专利权）人： | 成都高投芯未半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京之于行知识产权代理有限公司 11767 | 代理人： | 侯越玲 |
| 地址： | 610000 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种晶圆背面工艺的防离子污染的加工方法，所述方法至少包括：基于湿法工艺在晶圆背面设置至少一层防护层；在所述防护层的生长厚度达到标准范围的情况下，在所述晶圆背面进行离子注入。基于现有技术中需要通过高温条件形成防护层，导致晶圆正面的结构受到高温影响的缺陷，本发明提供新的离子注入工艺，能够在非高温的情况下设置防护层，使得通过防护层来防止离子注入的掺杂干扰的方案能够被真正应用在半导体器件的生产中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 背面 工艺 离子 污染 加工 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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