[发明专利]一种红光micro LED芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 202311027524.5 | 申请日： | 2023-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN116759498A | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 李俊承;王克来;郑万乐;陈宝 | 申请（专利权）人： | 南昌凯捷半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/48 |
| 代理公司： | 南昌金轩知识产权代理有限公司 36129 | 代理人： | 董梦华 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市临*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明具体涉及一种红光micro LED芯片及其制作方法，包括在第一GaAs基板上生长外延结构；将其与第二GaAs基板键合在一起；在第二GaAs基板表面沉积保护层，去除第一GaAs基板；进行LED芯片前段工艺；使用临时键合胶覆盖wafer表面，将wafer与临时基板粘结在一起；去除保护层，去除第二GaAs基板和键合层；剥离芯粒，完成制作。本发明通过在红光micro LED芯片制作过程中引入GaAs基板作为制程中间基板，方便去除，同时将临时键合胶键合在透明临时基板上，适合LLO工艺或者热滑移等解键合工艺，解决了红光micro LED芯片外延层转移的难点，良率高，成本低，对巨量转移工艺友好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 红光 micro led 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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