[发明专利]一种基于N-BAL提高电流密度的超结肖特基二极管及制备方法在审
| 申请号： | 202311008082.X | 申请日： | 2023-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN116741812A | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 吴龙江 | 申请（专利权）人： | 深圳天狼芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 深圳中创智财知识产权代理有限公司 44553 | 代理人： | 吴英 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种基于N‑BAL提高电流密度的超结肖特基二极管及制备方法，该超结肖特基二极管包括：N‑BAL层；所述N‑BAL层位于P pillar和N+衬底之间；N‑drift层与所述N‑BAL层和所述N+衬底形成导电通道。本发明在传统的超结肖特基二极管中的P pillar的下方引入了N‑BAL层（N型底部辅助层），使得原本从N‑drift层流向N型衬底的电流有部分通过N‑BAL层再流向N型衬底，这样能够增加电流密度，同时提高了器件耐压与导通电阻的比值，使本发明的新型结构的超结肖特基二极管能够接近甚至超越硅材料的理论值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 bal 提高 电流密度 超结肖特基 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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