[发明专利]MicroLED像素化方法在审
| 申请号： | 202311006293.X | 申请日： | 2023-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN116759497A | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 黄涛 | 申请（专利权）人： | 晶能光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/3065;H01L21/306;H01L21/308 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330096 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种MicroLED像素化方法，包括：提供待像素化的半导体发光结构，半导体发光结构包括依次堆叠于生长衬底表面的第一半导体层、发光层及第二半导体层；通过邦定材料将半导体发光结构邦定至支撑基板表面，并去除生长衬底；根据预先配置的像素单元，在半导体发光结构表面形成相应的掩膜材料；对未覆盖掩膜材料区域的半导体发光结构进行干法刻蚀，在半导体发光结构中形成预设深度的沟槽；去除掩膜材料，并对形成有沟槽的半导体发光结构进行湿法刻蚀直至露出邦定材料，完成对半导体发光结构的像素化过程，在支撑基板表面形成像素单元，能够有效降低MicroLED出现边缘缺陷的概率。 | ||
| 搜索关键词： | microled 像素 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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