[发明专利]一种氮化镓高压器件在审
| 申请号： | 202310979776.1 | 申请日： | 2023-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN116707502A | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 李茂林;施雯;杨参有;董志文;唐高飞;银发友 | 申请（专利权）人： | 杭州云镓半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/10 | 分类号： | H03K17/10;H03K17/081;H03K17/56 |
| 代理公司： | 杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260 | 代理人： | 姚宇吉 |
| 地址： | 310023 浙江省杭州市西湖*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体器件领域，特别涉及一种氮化镓高压器件。包括：增强型GaN HEMT器件，衬底电压控制电路；其中，增强型GaN HEMT器件的栅极、漏极、源极分别为氮化镓高压器件的栅极、漏极、源极，增强型GaN HEMT器件的衬底与衬底电压控制电路的第一端电气连接。当氮化镓高压器件的栅极电压大于增强型GaN HEMT器件的阈值电压时，增强型GaN HEMT器件的衬底接地，降低增强型GaN HEMT器件的表面电场使得氮化镓高压器件的动态特性良好。当氮化镓高压器件的栅极电压小于阈值电压时，增强型GaN HEMT器件的衬底浮空，使得增强型GaN HEMT器件的衬底电压钳位将增强型GaN HEMT器件的衬底衬底电位钳位在某个高电压，提升关断状态下的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 高压 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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