[发明专利]一种宽波段的薄膜光电探测器件及其制备方法

摘要

本发明公开一种宽波段的薄膜光电探测器件及其制备方法。该方法包括：选取SiO2石英为基底；利用直流磁控溅射技术在KBr片上外延生长SnS单晶薄膜；采用无酸剥离技术转移薄膜至SiO2石英基底并在在表面沉积Pd电极,制备出Pd‑SnS‑Pd/SiO2半导体光电探测器件。基于SnS薄膜高光吸收系数，器件对405nm‑1550nm波长范围的激光具有明显的响应，利用SnS材料独特的辐射热效应形成光‑热‑电‑多物理场耦合的高效转换，在器件产生温度差变化，使器件中电流发生相应的变化，实现器件对光的检测，从而拓宽器件的光电探测能力。本发明的光电探测器件具有高响应度和探测率、响应速度快和周期稳定性好等优点；其制备工艺简单、无毒无污染，适于规模化工业生产，具有巨大的应用价值。