[发明专利]一种半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202310953307.2 | 申请日： | 2023-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN116705860A | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 陈兴 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海汉之律师事务所 31378 | 代理人： | 林安安 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件至少包括：衬底；浅槽隔离结构，设置在衬底中，且浅槽隔离结构将衬底划分为多个有源区，有源区包括第一类工作区和第二类工作区，其中第一类工作区的宽度大于第二类工作区的宽度；轻掺杂区，设置在有源区中，轻掺杂区包括受主离子或施主离子；以及防扩散区，设置在轻掺杂区中且位于轻掺杂区的边缘，防扩散区连接于浅槽隔离结构，其中位于第一类工作区的防扩散区具有第一宽度，位于第二类工作区的防扩散区具有第二宽度；其中，当轻掺杂区掺杂受主离子，第一宽度小于第二宽度，当第一类工作区和第二类工作区掺杂施主离子，第一宽度大于第二宽度。本发明能够提升半导体器件的制造良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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