[发明专利]1.5μm波段芯片级半导体/固体垂直集成被动调Q激光器在审
| 申请号： | 202310948462.5 | 申请日： | 2023-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN116667122A | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 付鑫鹏;付喜宏;张俊;彭航宇;宁永强 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01S3/0941 | 分类号： | H01S3/0941;H01S3/081;H01S3/1115;H01S3/1118;H01S3/16;H01S5/0239;H01S5/183 |
| 代理公司： | 长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙) 22218 | 代理人： | 高一明 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明涉及被动调Q激光器技术领域，尤其涉及一种1.5μm波段芯片级半导体/固体垂直集成被动调Q激光器，包括泵浦源、激光增益介质和可饱和吸收体。泵浦源采用制备微透镜的VCSEL，VCSEL发出的泵浦光经过微透镜聚焦后进入激光增益介质进行泵浦，泵浦源与增益介质形成线性三镜耦合腔结构以提升泵浦效率。泵浦后的激光增益介质为谐振腔提供1.5μm波段光学增益，经过可饱和吸收体调制谐振腔的腔内损耗后，实现1.5μm波长被动调Q脉冲的输出。本发明利用晶片键合方法实现三个组件之间的芯片级半导体/固体的垂直集成，集成式被动调Q激光器具有芯片级体积、结构简单、效率高、脉宽窄和峰值功率高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 1.5 波段 芯片级 半导体 固体 垂直 集成 被动 激光器 | ||
【主权项】：
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