[发明专利]一种掩模版及其制造方法在审
| 申请号： | 202310923065.2 | 申请日： | 2023-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN116841116A | 公开（公告）日： | 2023-10-03 |
| 发明（设计）人： | 张晓磊 | 申请（专利权）人： | 长鑫科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/26 | 分类号： | G03F1/26 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 王军红;吴素花 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 公开了一种掩模版及其制造方法，其中，掩模版包括：第一衬底以及第一相移结构，第一衬底包括第一区域和第二区域，第一相移结构位于第二区域上；第二衬底以及第二相移结构，第二衬底包括第三区域和第四区域，第二相移结构位于第三区域上，第一相移结构和第二相移结构的透光率不同；其中，第一衬底设置有第一相移结构的一侧与第二衬底设置有第二相移结构的一侧相互粘接，且第一衬底的第一区域与第二衬底的第三区域相对设置，第一衬底的第二区域与第二衬底的第四区域相对设置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 模版 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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