[发明专利]一种MEMS磁电耦合天线及其低温封装方法有效
申请号: | 202310902946.6 | 申请日: | 2023-07-21 |
公开(公告)号: | CN116632507B | 公开(公告)日: | 2023-10-10 |
发明(设计)人: | 马志波;赵山林;王熠楠;王远航;苑伟政 | 申请(专利权)人: | 西北工业大学 |
主分类号: | H01Q1/22 | 分类号: | H01Q1/22;H01Q1/36;H01Q1/42;H01Q1/50;B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00;B81C3/00 |
代理公司: | 北京亿知臻成专利代理事务所(普通合伙) 16123 | 代理人: | 王世杰 |
地址: | 710072 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明涉及一种MEMS磁电耦合天线及其低温封装方法。本发明提供的MEMS磁电耦合天线,包括第一玻璃片和第二玻璃片,所述第二玻璃片和第一玻璃片之间键合有高阻硅片,所述第一玻璃片的上表面具有空腔,所述高阻硅片上贯通设置有通道,所述通道的下端设置有MEMS谐振结构,所述MEMS谐振结构悬空于所述的空腔内。本发明的MEMS磁电耦合天线及其低温封装方法,其自上而下采用玻‑硅‑玻进行键合,键合温度低,解决了磁性材料容易受封装温度影响的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 mems 磁电 耦合 天线 及其 低温 封装 方法 | ||
【主权项】:
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