[发明专利]一种MEMS磁电耦合天线及其低温封装方法有效

专利信息
申请号: 202310902946.6 申请日: 2023-07-21
公开(公告)号: CN116632507B 公开(公告)日: 2023-10-10
发明(设计)人: 马志波;赵山林;王熠楠;王远航;苑伟政 申请(专利权)人: 西北工业大学
主分类号: H01Q1/22 分类号: H01Q1/22;H01Q1/36;H01Q1/42;H01Q1/50;B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00;B81C3/00
代理公司: 北京亿知臻成专利代理事务所(普通合伙) 16123 代理人: 王世杰
地址: 710072 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种MEMS磁电耦合天线及其低温封装方法。本发明提供的MEMS磁电耦合天线,包括第一玻璃片和第二玻璃片,所述第二玻璃片和第一玻璃片之间键合有高阻硅片,所述第一玻璃片的上表面具有空腔,所述高阻硅片上贯通设置有通道,所述通道的下端设置有MEMS谐振结构,所述MEMS谐振结构悬空于所述的空腔内。本发明的MEMS磁电耦合天线及其低温封装方法,其自上而下采用玻‑硅‑玻进行键合,键合温度低,解决了磁性材料容易受封装温度影响的问题。
搜索关键词: 一种 mems 磁电 耦合 天线 及其 低温 封装 方法
【主权项】:
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