[发明专利]一种使用MOSFET和电容器构成的无源忆阻器电路在审
| 申请号： | 202310900111.7 | 申请日： | 2023-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN116825164A | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 施阁;吴世恩;王晨宇;林如斌 | 申请（专利权）人： | 中国计量大学 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本发明公开了一种使用MOSFET和电容器构成的无源忆阻器电路。全电路仅由3个MOS管 |
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| 搜索关键词： | 一种 使用 mosfet 电容器 构成 无源 忆阻器 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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