[发明专利]一种阻变式存储器在审
申请号: | 202310899900.3 | 申请日: | 2023-07-20 |
公开(公告)号: | CN116940126A | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 康赐俊;沈鼎瀛;邱泰玮;李武新;严锦懋;陈安乔;程恩萍 | 申请(专利权)人: | 厦门半导体工业技术研发有限公司 |
主分类号: | H10B63/00 | 分类号: | H10B63/00 |
代理公司: | 北京乐知新创知识产权代理事务所(普通合伙) 11734 | 代理人: | 王曌寅 |
地址: | 361024 福建省厦门市火炬高新区*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本公开提供一种阻变式存储器,包括:沿垂直方向由下而上依次层叠设置的底电极、阻变层和顶电极组成的阻变结构;全包覆所述阻变结构侧壁的保护层;包覆所述保护层侧壁的外围电极,所述外围电极用于在水平方向上向所述阻变层施加电场;与所述外围电极连接的金属导线;所述顶电极、底电极和所述外围电极分别连接不同的金属导线。通过单独控制外围电极,可向阻变层施加水平方向的电场,使得导电细丝的位置可控,防止了氧空位、氧离子在水平方向的散射,提升了器件的耐久性。 | ||
搜索关键词: | 一种 阻变式 存储器 | ||
【主权项】:
暂无信息
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