[发明专利]SONOS器件的制造方法在审
| 申请号： | 202310891144.X | 申请日： | 2023-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN116940119A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 侯新亚;刘政红;齐瑞生 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H10B43/30 | 分类号： | H10B43/30;H01L21/266;H01L21/265;H01L21/336;H01L29/792 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种SONOS器件的制造方法，包括：步骤一、提供半导体衬底，完成P型源漏注入工艺环之前的工艺且在P型源漏注入工艺环之前的工艺中取消IOPLDD工艺环，IOPLDD为输入输出P型轻掺杂漏。步骤二、进行P型源漏注入工艺环，包括：步骤21、形成掩膜层并进行图形化。步骤22、采用掩膜层为掩膜进行IOPLDD注入形成IOPLDD区。步骤23、采用掩膜层为掩膜进行P型源漏注入形成P型源漏区，IOPLDD区的结深大于P型源漏区的结深。本发明能降低工艺成本以及缩短生产周期。 | ||
| 搜索关键词： | sonos 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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