[发明专利]一种焦平面阵列信号读出电路架构在审

专利信息
申请号: 202310889710.3 申请日: 2023-07-19
公开(公告)号: CN116962901A 公开(公告)日: 2023-10-27
发明(设计)人: 刘戈扬;李明;王小东;任思伟;吕玉冰;刘昌举 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十四研究所
主分类号: H04N25/70 分类号: H04N25/70;H04N25/71;H04N25/78;H04N25/77;H04N25/76
代理公司: 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 代理人: 方钟苑
地址: 400060 *** 国省代码: 重庆;50
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明涉及一种焦平面阵列信号读出电路架构,属于电路系统的整体架构设计领域。该电路架构包括第一~五像素阵列z轴下方列级电路区域,第一像素阵列y轴上方列级电路区域,第一‑第二、第二‑第三、第三‑第四、第四‑第五像素阵列间y轴列级电路区域,第五像素阵列y轴下方列级电路区域,左、右侧外围电路区域,第一~五像素阵列y轴上方至读出电路输入端区域,第一~五像素阵列y轴下方至读出电路输入端区域和读出电路对片外输入输出端区域。本发明在整体布局上满足其与五谱段CCD像素阵列进行晶圆级键合的相关技术要求,且能够同时处理并输出五个CCD像素阵列生成的图像数据。
搜索关键词: 一种 平面 阵列 信号 读出 电路 架构
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第四十四研究所,未经中国电子科技集团公司第四十四研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202310889710.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 一种焦平面阵列信号读出电路架构-202310889710.3
  • 刘戈扬;李明;王小东;任思伟;吕玉冰;刘昌举 - 中国电子科技集团公司第四十四研究所
  • 2023-07-19 - 2023-10-27 - H04N25/70
  • 本发明涉及一种焦平面阵列信号读出电路架构,属于电路系统的整体架构设计领域。该电路架构包括第一~五像素阵列z轴下方列级电路区域,第一像素阵列y轴上方列级电路区域,第一‑第二、第二‑第三、第三‑第四、第四‑第五像素阵列间y轴列级电路区域,第五像素阵列y轴下方列级电路区域,左、右侧外围电路区域,第一~五像素阵列y轴上方至读出电路输入端区域,第一~五像素阵列y轴下方至读出电路输入端区域和读出电路对片外输入输出端区域。本发明在整体布局上满足其与五谱段CCD像素阵列进行晶圆级键合的相关技术要求,且能够同时处理并输出五个CCD像素阵列生成的图像数据。
  • 成像装置、电子装置和信号处理方法-202280018061.3
  • 斋藤大辅;半泽克彦 - 索尼半导体解决方案公司
  • 2022-01-18 - 2023-10-27 - H04N25/70
  • [问题]提供了一种能够降低功耗的成像装置。[解决方案]根据本公开的实施方式的成像装置包括:第一基板,在第一基板上布置像素阵列单元,该像素阵列单元输出通过光电转换第一方向上的入射光而获得的像素信号;以及第二基板,在第二基板上布置存储器阵列单元,该存储器阵列单元输出卷积信号,该卷积信号表示基于第二方向上的像素信号的输入信号的积和操作的结果。第一基板和第二基板至少部分地彼此重叠。
  • 扩展的图像传感器像素阵列-202310410064.8
  • N·P·考利;A·D·塔尔博特 - 半导体元件工业有限责任公司
  • 2023-04-18 - 2023-10-27 - H04N25/70
  • 本发明公开了一种扩展的图像传感器像素阵列。本发明涉及一种图像传感器,该图像传感器可通过将第一管芯安装到第二管芯来实现。该第一管芯可包括具有有源像素和非有源像素的图像传感器像素阵列,而该第二管芯可包括经由管芯间连接件耦接到该图像传感器像素阵列的像素控制和读出电路。该图像传感器像素阵列可具有超过该像素读出电路中的对应列读出路径的像素列和/或超过该像素控制电路中的行控制路径的对应组的像素行。可实现选定的一组管芯间连接件以提供期望的一组像素列与有限数量的列读出路径之间的连接件,并提供期望的一组像素行与有限数量组的行控制路径之间的连接件。
  • 动态视觉传感器-202110196584.4
  • 印秉宏;王佳祥 - 广州印芯半导体技术有限公司
  • 2021-02-22 - 2023-10-27 - H04N25/70
  • 本发明提供一种动态视觉传感器包括第一感测像素、另一第一感测像素、存储电容及另一存储电容。第一感测像素包括多个颜色光感测子像素、第一像素电路、红外光感测子像素、第二像素电路及斜坡电容。斜坡电容耦接上斜坡信号。第二像素电路输出红外光感测子像素的感测结果至存储电容。另一第一感测像素包括另多个颜色光感测子像素、另一第一像素电路、另一红外光感测子像素、另一第二像素电路及另一斜坡电容。另一斜坡电容耦接下斜坡信号。另一第二像素电路输出另一红外光感测子像素的感测结果至另一存储电容。
  • 像素单元、图像传感器芯片、成像系统、像素单元的形成方法以及深度信息测算方法-201810098075.6
  • 徐渊;黄志宇;漆晓峰;刘诗琪;陈享 - 光微信息科技(合肥)有限公司
  • 2018-01-31 - 2023-10-27 - H04N25/70
  • 本申请提供一种像素单元、图像传感器芯片、成像系统、像素单元的形成方法以及深度信息测算方法,像素单元包括:衬底;光电二极管;第一电压信号输出模块,其包括第一开关,第一开关连接光电二极管;以及第二电压信号输出模块,其包括第二开关,第二开关连接光电二极管;第一电压信号输出模块输出第一电压信号表示环境光的电压信号,当获取被测物体的反射光的电压信号时,控制第一开关关闭以及控制第二开关打开,第二电压信号输出模块输出第二电压信号表示反射光的电压信号,根据第一电压信号和第二电压信号获取反射光电压信号有效值。本申请能够提升了被测物体的深度信息的测量的准确性,能够适用于更加复杂的环境,使得产品适用范围更为广泛。
  • 图像传感器和用于读出图像传感器的信号的方法-202210742333.6
  • 宇井博贵;船津英一 - 豪威科技股份有限公司
  • 2022-06-28 - 2023-10-24 - H04N25/70
  • 一种图像传感器和用于读出图像传感器的信号的方法。图像传感器包含以矩阵布置且其中每一个响应于入射光而输出信号的多个像素,其中可相对于多个像素执行数据的读出,且可执行多个像素列的数据的同时读出,且可读取待同时读取的多个像素列中的至少一个像素,以用于相对于所划分子像素中的每一个进行相位检测。图像传感器配置成:以n行作为读出单元,其中n为2或大于2的整数;在读出单元内的一个读出周期中对至少一个像素的至少一个子像素执行读出;在读出单元内的另一读出周期中对每一像素执行读出,包含对至少一个像素的另一个子像素的相位检测读出,其中至少一个子像素已在一个读出周期中读取;以及以n+1个读出周期结束读出单元的读出。
  • 传感器装置-202280018770.1
  • 榊原雅树 - 索尼集团公司
  • 2022-02-15 - 2023-10-20 - H04N25/70
  • 根据本技术的传感器装置设置有:SPAD元件;检测单元,用于检测由于SPAD元件引起的光子接收反应并输出指示光子接收反应的脉冲,检测单元根据脉冲的输出将自身状态重置为能够检测光子接收反应的状态;以及脉冲计数器,用于对检测单元输出的脉冲进行计数。
  • 一种图像传感器-202011157513.5
  • 赵立新;李怀兆 - 格科微电子(上海)有限公司
  • 2020-10-26 - 2023-10-20 - H04N25/70
  • 一种图像传感器,包括:像素单元阵列,所述像素单元阵列被划分为若干像素单元子阵列,其中,所述像素单元子阵列被划分为具有有效像素的像素矩阵区域以及冗余区域;其中,每个冗余区域具有一个或多个功能电路单元,所述功能电路单元用于实现一种或多种电子线路功能,并且包括电路模块的至少一部分和/或电子器件。本发明可以有效提高芯片的空间利用率,有助于降低成本。
  • 多光谱传感器以及电子设备-202111584863.4
  • 马昆;严斌 - 荣耀终端有限公司
  • 2021-12-22 - 2023-10-20 - H04N25/70
  • 本申请实施例提供一种多光谱传感器以及电子设备。多光谱传感器包括光线通道。光线通道包括进光部、光学透镜、滤光部和传感器件阵列。沿进光部的轴向,传感器件阵列的正投影位于光学透镜的正投影内。传感器件阵列包括至少三行光电传感器。至少三行光电传感器分为中间传感器组和边缘传感器组。中间传感器组包括第一光电传感器。边缘传感器组包括第二光电传感器。沿传感器件阵列的行方向,一行第一光电传感器包括N个第一光电传感器以及N‑1个第一间隙。相邻两个第一光电传感器之间形成第一间隙。与上述一行第一光电传感器相邻的一行第二光电传感器的数量为N‑1个。沿列方向,第二光电传感器对应第一间隙设置。
  • 改进的采样设备-201980049491.X
  • G.德凯恩斯 - 灵锐得
  • 2019-07-26 - 2023-10-17 - H04N25/70
  • 提供一种采样设备,其具有接收由采样电容器(Cech)的端子形成的待采样的电压(Vin)的第一输入。放大器(4)具有连接到采样电容器(Cech)的另一端子的第一输入和连接到参考电压(Vref)的第二输入。放大器(4)由电源(5)供电,电源(5)被配置为:‑在第一周期期间输送减小的电流(irep)并被配置为在第一条件下向放大器(4)供电,‑在第二周期期间输送额定电流(inom)并被配置为在第二条件下向放大器(4)供电,该减小的电流(irep)低于该额定电流(inom)。在第一周期期间,放大器(4)的第一输入和第二输入被短路。
  • 图像传感器-202080031296.7
  • 渡边浩介;上辻康人 - 欧姆龙株式会社
  • 2020-03-16 - 2023-10-17 - H04N25/70
  • 图像传感器具备:拍摄元件;光学系统,其用于使被摄体的像成像于拍摄元件的拍摄面,该光学系统包括液体透镜;以及控制部,其执行屈光力控制处理和识别处理,所述屈光力控制处理通过调整对所述液体透镜的施加电压来控制所述液体透镜的屈光力,所述识别处理通过分析来自所述拍摄元件的图像数据来识别与所述被摄体有关的规定种类的信息,所述控制部能够以从通过所述屈光力控制处理变更对所述液体透镜的施加电压起到开始所述识别处理为止的待机时间不同的多个动作模式进行动作。
  • 产生事件数据的信号流的事件传感器和方法-202280014604.4
  • 李成汉;A·德费内兹 - 英尼维顺股份有限公司
  • 2022-03-22 - 2023-10-13 - H04N25/70
  • 本发明涉及一种事件传感器和用于响应入射到像素的像素阵列(10)上的光产生事件数据的信号流的方法。所述事件传感器包括:对于像素阵列(10)的每个像素,至少一个光电探测器(1),其配置为响应于入射到像素上的光而产生探测器信号;对于每个像素或像素组,连接到光电探测器(1)的信号转换器(2),其配置为根据以采样间隔采样的探测器信号重复地产生和存储数字采样值;以及连接到信号转换器(2)的读出处理器(4)。读出处理器(4)配置成:基于一个或多个采样值,导出数字的累积像素值,其中累积像素值对应于在采样间隔的采样计数上探测器信号的累积;并且根据累积像素值和采样计数生成事件数据的像素事件。
  • 一种摄像装置及其制备方法-202310660148.7
  • 唐昌胜;周进群 - 深南电路股份有限公司
  • 2023-06-05 - 2023-10-13 - H04N25/70
  • 本发明公开了一种摄像装置及其制备方法,其中,摄像装置的制备方法包括:获取到至少一个图像传感器以及至少一个元器件,并基于图像传感器的厚度制备得到加工板件;基于图像传感器的数量对加工板件进行开槽,以贯穿加工板件得到至少一个通槽;将至少一个元器件分别固定安装在加工板件的相对两侧,并将至少一个图像传感器安装在对应的通槽内;对加工板件进行塑封,直至固定至少一个图像传感器,以得到摄像装置。通过上述方式,本发明能够减薄摄像装置的厚度,且节省补强片所占用的整体空间以及整体重量。
  • 握手电路和数据处理方法-202310806239.7
  • 秦祎繁;茆文艺 - 海宁奕斯伟集成电路设计有限公司;北京奕斯伟计算技术股份有限公司
  • 2023-07-03 - 2023-10-10 - H04N25/70
  • 本公开提供了一种握手电路和数据处理方法。握手电路包括至少一个控制子电路,用于接收目的准备信号和源请求信号,根据目的准备信号和源请求信号,输出源标志信号;以及至少一个滤波子电路,用于接收来自对应控制子电路的源标志信号,在多个周期内基于源标志信号接收多个源数据,并在确定多个源数据的数量满足预设条件的情况下,对多个源数据进行滤波运算,得到目的数据,并输出目的数据;其中,至少一个控制子电路的每个控制子电路与至少一个滤波子电路的其中一个滤波子电路对应,至少一个滤波子电路的每个滤波子电路与至少一个控制子电路的其中一个控制子电路对应,每个控制子电路与对应的滤波子电路电连接。
  • 一种600M像素图像传感器-202320755686.X
  • 过仕好 - 南京威派视半导体技术有限公司
  • 2023-04-07 - 2023-10-10 - H04N25/70
  • 本实用新型公开了一种600M像素图像传感器,包括图像传感器像素阵列和数据输出接口,所述图像传感器像素阵列包括像素子阵列Subarray_0、Subarray_1、Subarray_2和Subarray_3,数据输出接口包括MIPI接口MIPI0、MIPI1、MIPI2和MIPI3,MIPI0对应Subarray_0,MIPI1对应Subarray_1,MIPI2对应Subarray_2,MIPI3对应Subarray_3。本实用新型将图像传感器的像素阵列分为四个像素子阵列,结构简单,设计合理,可以在实现600M像素的基础上,大大降低计算难度并提升数据传输速率。
  • 一种10亿像素图像传感器-202320762796.9
  • 黄敏红 - 南京威派视半导体技术有限公司
  • 2023-04-10 - 2023-10-10 - H04N25/70
  • 本实用新型公开了一种10亿像素图像传感器,包括图像传感器像素阵列和数据输出接口,所述图像传感器像素阵列的两侧均设置有240列的假像素,所述图像传感器像素阵列的有效像素阵列大小为30720x34048,所述图像传感器像素阵列包括八个像素子阵列,八个像素子阵列分别对应八个MIPI接口。本实用新型的10亿像素图像传感器将图像传感器的像素阵列分为八个像素子阵列,并在可以在实现10亿像素并通过mipi接口输出48Gbps高清图像的高质量、高性能10亿像素图像传感器。
  • 像素读出控制装置、方法及系统-202310782061.7
  • 张旭龙 - 深圳市丛矽微电子科技有限公司
  • 2023-06-28 - 2023-09-29 - H04N25/70
  • 本发明实施例涉及一种像素读出控制装置、方法及系统,所述装置包括像素模组,所述像素模组包括多个相互连接的像素单元;连接于所述像素模组的像素读出控制单元,所述像素读出控制单元对该像素模组内的各像素单元所探测到的事件信息进行监控,并根据监控结果控制所述像素模组读出事件信息。本发明实施例提供的技术方案,通过在传感器像素阵列与冲裁模块之间加入像素读出控制装置,能够根据预定时间内各像素单元探测到的事件信息数量来控制读出,解决了EVS热像素频繁占用读出带宽的问题。
  • 图像传感器-202320933772.5
  • 曲传伟;姜利 - 威海华菱光电股份有限公司
  • 2023-04-18 - 2023-09-29 - H04N25/70
  • 本实用新型公开了一种图像传感器。其中,该图像传感器包括:框架;芯片基板,芯片基板设置在框架内;光源,光源设置在芯片基板上;导光条,导光条上设置有出光面,导光条的一端与光源连接,导光条与光源连接的接触面为弧形,用于包裹光源的发光面,光源发出的光进入导光条后从出光面射出至待扫描平面上的图像;透镜,透镜设置在导光条的一侧,用于接收待扫描平面反射的光;光电转换芯片,光电转换芯片朝向透镜且对应透镜设置在芯片基板上,用于接收透镜出射的光,并将光信号转化为电信号。本实用新型解决了由于相关技术中光源与导光条之间连接不紧密造成的光源存在漏光现象的技术问题。
  • 图像传感器-201810988385.5
  • 戚德奎;石文杰 - 思特威(上海)电子科技股份有限公司
  • 2018-08-28 - 2023-09-22 - H04N25/70
  • 本发明提供一种图像传感器,所述图像传感器具有形成在半导体基底上的多个排成行和列的像素单元,每个所述像素单元包括:一个或多个光电二极管;一个或多个传输晶体管,分别连接到各自的光电二极管,用于将电子转移到浮动扩散区域;复位晶体管,连接到所述浮动扩散区域;源极跟随晶体管,其栅极连接到所述浮动扩散区域,对所述浮动扩散区域的电信号放大输出。所述源极跟随晶体管栅极的一端覆盖所述浮动扩散区域的一部分,形成重叠区域;所述源极跟随晶体管的栅极和所述浮动扩散区域共享一连接点,形成电连接。本发明提出的图像传感器能有效减少所述浮动扩散区域的电容,提高像素电路的转换增益,降低图像噪声。
  • 成像装置、相机模块和电子设备-201880050082.7
  • 荻田知治 - 索尼半导体解决方案公司
  • 2018-08-08 - 2023-09-19 - H04N25/70
  • 本技术涉及能够减小相机模块的高度并提高感度的成像装置、相机模块和电子设备。根据本技术的成像装置设有:半导体基板,其设有包括执行光电转换的多个像素的受光部;和加强件,其配置在所述半导体基板的受光部侧并且具有在与所述受光部相对应并面对所述受光部的位置处开口的开口部。例如,本技术适用于捕获图像的成像装置;收集光并捕获图像的相机模块;具有相机功能的电子设备;待配备在车辆上的车辆控制系统;以及用于内窥镜手术的内窥镜手术系统等。
  • 相机模块-202180091895.2
  • 申原燮 - LG伊诺特有限公司
  • 2021-12-28 - 2023-09-15 - H04N25/70
  • 根据实施方式的相机模块包括:电路板;以及设置在电路板上的图像传感器;其中,电路板包括:绝缘层;焊盘,其设置在绝缘层上;端子,其设置在绝缘层上并且与焊盘间隔开;保护层,其设置在绝缘层上,并且包括暴露焊盘和端子的开口;导线部分,其设置在焊盘上;以及连接线,其连接图像传感器和端子,其中,图像传感器的下表面与导线部分直接接触,并且导线部分和图像传感器彼此电隔离。
  • 光检测装置-201780069329.5
  • 中村重幸;足立俊介;马场隆;永野辉昌;山本晃永 - 浜松光子学株式会社
  • 2017-11-09 - 2023-09-15 - H04N25/70
  • 光检测装置具备:具有二维排列的多个像素的半导体光检测元件、具有对来自对应的像素的输出信号进行处理的多个信号处理部的搭载基板。半导体光检测元件在每个像素具有:多个雪崩光电二极管,其以盖革模式动作;多个灭弧电阻,其串联地电连接于对应的雪崩光电二极管;贯通电极,其与多个灭弧电阻电连接。各信号处理部具有通过对应的贯通电极而电连接有多个雪崩光电二极管并且输出与来自多个雪崩光电二极管的输出信号对应的信号的电流镜电路。搭载基板具有的多个信号处理部的数量比各像素中的受光区域的数量多。
  • 图像传感器像素单元、信号处理电路和电子设备-202310799013.9
  • 郭同辉 - 脉冲视觉(北京)科技有限公司
  • 2023-06-30 - 2023-09-12 - H04N25/70
  • 本公开实施例公开了一种图像传感器像素单元、信号处理电路和电子设备,其中,图像传感器像素单元包括:光电二极管、复位晶体管、复位控制电路和辅助电路;所述光电二极管,用于在曝光时长内接收光信号以产生光电电荷,并根据所述复位控制电路的控制执行复位操作;所述复位控制电路,用于根据时序控制信号控制所述复位晶体管的导通情况;所述复位晶体管,用于根据导通情况对所述光电二极管的复位进行控制;所述辅助电路,用于根据所述光电二极管的电势变化,输出目标信号;本公开实施例减小了图像传感器像素单元的面积,提高了利用该图像传感器像素单元的传感器的分辨率。
  • 对用于数字拍摄的多个相机进行操作的设备和方法-201980074506.8
  • 哈米德·R·谢赫;柳荣俊;李硕埈;迈克尔·O·波莉 - 三星电子株式会社
  • 2019-12-06 - 2023-09-08 - H04N25/70
  • 一种方法包括:在第一模式下,定位电子装置的图像传感器阵列的第一可倾斜图像传感器模块和第二可倾斜图像传感器模块,使得第一可倾斜图像传感器模块的第一光轴和第二可倾斜图像传感器模块的第二光轴基本上垂直于电子装置的表面,并且第一可倾斜图像传感器模块和第二可倾斜图像传感器模块在电子装置的厚度剖面内。所述方法还包括:在第二模式下,使第一可切斜图像传感器模块和第二可倾斜图像传感器模块切斜,使得第一可倾斜图像传感器模块的第一光轴和第二可倾斜图像传感器模块的第二光轴不垂直于电子装置的表面,并且第一可倾斜图像传感器模块和第二可倾斜图像传感器模块的至少一部分不再在电子装置的厚度剖面内。
  • 飞行时间图像传感器像素电路及其读出方法、图像传感器-202210180509.3
  • 戴顺麒;王倩;任玉齐;张盛鑫;王文轩 - 思特威(合肥)电子科技有限公司
  • 2022-02-25 - 2023-09-05 - H04N25/70
  • 本申请涉及一种飞行时间图像传感器像素电路及其读出方法、图像传感器,该飞行时间图像传感器像素电路中,若干传输晶体管以感光元件为中心成对设置,成对设置的传输晶体管传输的光电荷信号为同一时期积分的电荷信号,成对设置的传输晶体管输出的光电荷信号经对应的输出控制单元输出后被合并为一个总的光电荷信号以进行图像处理,辅之以飞行时间图像传感器像素电路的读出方法,通过划分多个深度子帧读出相位信号的方式,可以在保持原有的像素尺寸的前提下,最大程度缩短光电荷信号的传输距离,在不牺牲工作频率的前提下,增加深度测量精度,同时提升图像传感器的信噪比。
  • 光电转换装置和光学检测系统-202280009282.4
  • 大田康晴;森本和浩 - 佳能株式会社
  • 2022-01-05 - 2023-09-05 - H04N25/70
  • 本光电转换装置包括:雪崩光电二极管,所述雪崩光电二极管包括阳极和阴极;开关,所述开关连接到阳极和阴极中的一个节点、以及将被施加驱动电压的电力线,并且用于在所述一个节点和电力线之间切换电阻值;以及信号产生单元,所述信号产生单元产生用于控制开关的切换的脉冲信号。通过将第一曝光时间段内的脉冲信号的数量除以第一曝光时间段而获得的值与通过将第二曝光时间段内的脉冲信号的数量除以第二曝光时间段而获得的值是不同的,第二曝光时间段的长度不同于第一曝光时间段的长度。
  • 电荷域放大与电压域多次采样的固态微光图像传感器-202310791165.4
  • 沈吉;常维静;顾子悦;韩秀秀;那启跃;徐建东;张伟 - 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心
  • 2023-06-30 - 2023-09-05 - H04N25/70
  • 本发明公开了电荷域放大与电压域多次采样的固态微光图像传感器,其特征在于,包括像素部分、电荷域增益控制结构、水平转移沟道和多次采样电路;所述像素部分采用钉扎光电二极管,四相的垂直转移栅极将光电二极管中累计的电荷转移至垂直转移沟道;电荷域增益控制结构包括增益栅极,在垂直转移沟道转移过程中,实现电荷域的可编程增益控制;水平转移沟道通过栅极的时序控制将电荷包转移至电荷检测节点SN,通过复位和埋沟源跟随放大电路将电荷包转换成复位电平信号;多次采样电路分别对转换电压信号进行多次采样,由外部差分输入ADC完成模数转换。本发明充分利用电子倍增仅对信号电荷放大优势,减小1/f噪声和RTS噪声。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top