[发明专利]一种三维集成电路的制备方法及三维集成电路在审
| 申请号： | 202310882738.4 | 申请日： | 2023-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN116936455A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 张耀辉 | 申请（专利权）人： | 苏州华太电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L21/77;H01L23/00;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京科慧致远知识产权代理有限公司 11739 | 代理人： | 宋珊珊 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请实施例提供了一种三维集成电路的制备方法及三维集成电路。制备方法，包括如下步骤：步骤S1：形成底部器件层；底部绝缘层中具有电连接结构；步骤S2：采用晶圆键合方法形成孤岛隔离层和上方第一器件层的第一半导体层，孤岛隔离层位于底部绝缘层之上，第一半导体层位于孤岛隔离层之上；步骤S3：制备上方第一器件层除第一半导体层以外的结构、以及形成第一层间TSV通孔；第一绝缘层中具有电连接结构，第一层间TSV通孔连接底部绝缘层的电连接结构和第一绝缘层的电连接结构。本申请实施例了解决传统的3D封装芯片的封装技术不能适应芯片的发展方向的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维集成电路 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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