[发明专利]用于非易失性存储器的写电压驱动电路及非易失性存储器在审
| 申请号： | 202310815581.3 | 申请日： | 2023-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN116758963A | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 许延华;陈艳;白俊峰;孟颖;李欢 | 申请（专利权）人： | 北京中电华大电子设计有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C16/08;G11C16/10;G11C16/24 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 102209 北京市昌平区北七家镇未*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 公开了一种用于非易失性存储器的写电压驱动电路及非易失性存储器，所述写电压驱动电路包括：写电压产生模块，用于产生写电压；开关模块，根据第二控制信号和第三控制信号将所述写电压提供至所述存储电路；补偿模块，在第一控制信号变为无效状态开始的预设时间内，根据所述第一控制信号产生补偿电流，以下拉所述写电压。本申请提供的用于非易失性存储器的写电压驱动电路及非易失性存储器，可以降低控制信号切换时写电压不必要的高压状态，从而减少非目标存储单元的编程干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 非易失性存储器 电压 驱动 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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