[发明专利]一种蚀刻方法、含氟气体使用方法及混合气体在审
| 申请号： | 202310789233.3 | 申请日： | 2023-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN116798867A | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 欧少敏;施海铭;周广伟 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王关根 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明属于半导体加工技术领域，尤其涉及一种蚀刻方法、含氟气体使用方法及混合气体；于第一蚀刻材料调整步骤（910）加入特定组分的第一蚀刻材料（气体）以干预蚀刻过程中光阻PR（Photo Resist）侧壁聚合物（Polymer）的生成，进而在蚀刻同时降低聚合物的厚度和致密度；此外，还通过第二偏置功率调整步骤（920）进一步优化干预过程的指向性，在预设的偏置功率和气体流量下，约束等离子体的能量，给出了聚合物处置的优选过程；进而通过给出预设的混合气体组分，较为彻底地去除了侧壁聚合物的残留（Residue）；其实施例还公开了一种含氟气体的使用方法及与之相应的混合气体，同样可实现光阻侧壁聚合物的处置，均可适用于金属铝、钛及氮化钛等介质的蚀刻过程。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 蚀刻 方法 氟气 使用方法 混合气体 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
