[发明专利]一种双面隧穿层结构的局部掺杂电池及其制备方法

摘要

本发明涉及电池领域，具体涉及一种双面隧穿层结构的局部掺杂电池及其制备方法，制备方法如下：(1)在衬底上沉积遂穿层；(2)在遂穿层上生长多晶硅层并进行低浓度硼掺杂；(3)掩膜保护，随之在其金属化区域进行高浓度硼掺杂，再利用激光薄化非金属区域，形成区域一和区域二；(4)在区域一上印刷烧穿型银浆料，在主栅线上印刷非烧穿型银浆料，烧穿型银浆料和非烧穿型银浆料互联。本发明通过对多晶硅前表面进行低掺杂，根据金属化图案对金属化区域进行高掺杂，用激光薄化非金属化区域，减少对长波的光寄生吸收，提高短路电流，从而提升转换效率；通过按照金属化图案印刷银浆，电极二与电极一直接连接，起到互联的作用，降低银浆耗量。