[发明专利]一种双面隧穿层结构的局部掺杂电池及其制备方法

权利要求书

1.一种双面隧穿层结构的局部掺杂电池，其特征在于，包括衬底(1)、遂穿层(2)、区域一(3)、区域二(4)、电极一(5)和电极二(6)。

2.如权利要求1所述的一种双面隧穿层结构的局部掺杂电池，其特征在于，所述衬底(1)为硅基片，遂穿层(2)为超薄氧化硅层，区域一(3)为高浓度硼掺杂多晶硅层，区域二(4)为低浓度硼掺杂多晶硅层，电极一(5)为烧穿型银浆料，电极二(6)为非烧穿型银浆料。

3.如权利要求1-2任一所述的双面隧穿层结构的局部掺杂电池的制备方法，其特征在于，该制备方法包括以下步骤：

(1)采用低压化学气相沉积法在衬底上沉积遂穿层；

(2)在遂穿层上生长多晶硅层，在多晶硅层上进行低浓度硼掺杂；

(3)根据金属化图案对低浓度硼掺杂多晶硅层上的非金属化区域进行掩膜保护，随之在其金属化区域进行高浓度硼掺杂，再利用激光薄化非金属区域，形成连续的区域一和区域二；

(4)在区域一上印刷烧穿型银浆料，在主栅线上印刷非烧穿型银浆料，烧穿型银浆料和非烧穿型银浆料互联。

4.如权利要求3所述的一种双面隧穿层结构的局部掺杂电池的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述遂穿层的厚度为1-2nm。

5.如权利要求3所述的一种双面隧穿层结构的局部掺杂电池的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，多晶硅层的厚度为100-200nm。

6.如权利要求3所述的一种双面隧穿层结构的局部掺杂电池的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述低浓度硼掺杂为8E19-10E19cm^-3。

7.如权利要求3所述的一种双面隧穿层结构的局部掺杂电池的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述高浓度硼掺杂为1E20-5E20cm^-3。

8.如权利要求3所述的一种双面隧穿层结构的局部掺杂电池的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述区域一和区域二的长度比为(3-1)：1；所述区域二的厚度为10-20nm。

9.如权利要求3所述的一种双面隧穿层结构的局部掺杂电池的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，所述烧穿型银浆料的印刷高度为4-10μm，宽度为10-20μm；所述非烧穿型银浆料4-10μm，宽度为150-200μm。