[发明专利]互补式存储电路及存储器在审
| 申请号： | 202310736107.1 | 申请日： | 2023-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN116935929A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 王宗巍;杨宇航;蔡一茂;黄如 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;H10B41/20;H10B41/41;H10B43/20;H10B43/40;G11C16/10;G11C16/26;G11C5/06 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 王迎;袁文婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种互补式存储电路及存储器，其中的互补式存储电路包括呈矩阵阵列分布的存储单元，存储单元包括交替连接的至少一组P沟道场效应晶体管和N沟道场效应晶体管；其中，P沟道场效应晶体管的源极与N沟道场效应晶体管的漏极连接；P沟道场效应晶体管的漏极与N沟道场效应晶体管的源极连接。利用上述发明能够提高存储阵列的密度，降低对场效应晶体管的驱动能力的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 互补 存储 电路 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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