[发明专利]一种环栅晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 202310707713.0 | 申请日： | 2023-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN116884987A | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 李永亮;刘昊炎 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/167;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 梁佳美 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种环栅晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域，以改善环栅晶体管中寄生沟道的漏电。所述环栅晶体管法包括：半导体基底、浅槽隔离结构、有源结构、栅堆叠结构、含锗半导体结构以及介电结构。浅槽隔离结构形成在半导体基底具有的隔离区上。有源结构形成在半导体基底具有的有源区上；有源结构包括源区、漏区、以及位于源区和漏区之间的沟道区。栅堆叠结构环绕在沟道区的外周。含锗半导体结构位于有源结构与半导体基底之间；含锗半导体结构中锗的含量高于沟道区中锗的含量，含锗半导体结构沿宽度方向的侧壁相对于沟道区沿宽度方向的侧壁向内凹入，形成第一凹口。介电结构填充在第一凹口内，介电结构和浅槽隔离结构非一体成型。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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