[发明专利]芯片压接装置及芯片压力烧结炉有效

专利信息
申请号: 202310701529.5 申请日: 2023-06-14
公开(公告)号: CN116435229B 公开(公告)日: 2023-08-29
发明(设计)人: 赵永先;邓燕;张延忠;文爱新;周永军 申请(专利权)人: 北京中科同志科技股份有限公司;中科同帜半导体(江苏)有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;F27B5/00;F27B5/14
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 白袖龙
地址: 101318 北京市顺*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及芯片加工设备技术领域,提供一种芯片压接装置及芯片压力烧结炉,其中,芯片压接装置包括相对设置的第一加热平台和第二加热平台,所述第一加热平台和所述第二加热平台分别设置有加热模块,所述第一加热平台设置有至少一个热压单元,所述热压单元位于所述第一加热平台与所述第二加热平台相对的一侧,所述热压单元适于与所述第二加热平台配合实现对芯片进行热压。本发明提供的芯片压接装置及芯片压力烧结炉,其第一加热平台和第二加热平台分别设置有加热模块,通过热压单元进行芯片热压时第一加热平台和第二加热平台均能够实现加热,有效提高芯片热压烧结效果和成品率。
搜索关键词: 芯片 装置 压力 烧结炉
【主权项】:
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