[发明专利]芯片压接装置及芯片压力烧结炉有效
申请号: | 202310701529.5 | 申请日: | 2023-06-14 |
公开(公告)号: | CN116435229B | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
发明(设计)人: | 赵永先;邓燕;张延忠;文爱新;周永军 | 申请(专利权)人: | 北京中科同志科技股份有限公司;中科同帜半导体(江苏)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;F27B5/00;F27B5/14 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 白袖龙 |
地址: | 101318 北京市顺*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及芯片加工设备技术领域,提供一种芯片压接装置及芯片压力烧结炉,其中,芯片压接装置包括相对设置的第一加热平台和第二加热平台,所述第一加热平台和所述第二加热平台分别设置有加热模块,所述第一加热平台设置有至少一个热压单元,所述热压单元位于所述第一加热平台与所述第二加热平台相对的一侧,所述热压单元适于与所述第二加热平台配合实现对芯片进行热压。本发明提供的芯片压接装置及芯片压力烧结炉,其第一加热平台和第二加热平台分别设置有加热模块,通过热压单元进行芯片热压时第一加热平台和第二加热平台均能够实现加热,有效提高芯片热压烧结效果和成品率。 | ||
搜索关键词: | 芯片 装置 压力 烧结炉 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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