[发明专利]单质M元素掺杂的高可靠相变材料、存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 202310689646.4 | 申请日： | 2023-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN116723758A | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 程晓敏;赵鹏;曾运韬;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H10N70/00 | 分类号： | H10N70/00;H10N70/20;H10B63/10 |
| 代理公司： | 武汉华之喻知识产权代理有限公司 42267 | 代理人： | 胡秋萍 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开单质M元素掺杂的高可靠相变材料、存储器及其制备方法，属于微纳米电子技术领域。所述相变材料包括：母体材料和掺杂元素，所述掺杂元素为单质M元素，所述M元素为Rb、Sr或者La。本发明提出的三种单质M元素，不仅能提升相变材料非晶热稳定性，还能加速晶化过程，提升SET速度，同时减少相变材料层在相变前后的体积变化，抑制器件内的电迁移，从而实现高速、高稳定、高循环特性的综合性能。 | ||
| 搜索关键词： | 单质 元素 掺杂 可靠 相变 材料 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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