[发明专利]欧姆接触基极与发射极短接的穿通型SiC-TVS器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202310688461.1 | 申请日： | 2023-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN116581148A | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 韩超;黄雨;汤晓燕;苑广安;白博仪;陶利;王东;吴勇 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学芜湖研究院 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L23/48;H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 王丹 |
| 地址： | 241002 安徽省芜湖市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种欧姆接触基极与发射极短接的穿通型SiC‑TVS器件及其制备方法，该器件包括SiC衬底、SiC外延层、第一电极和第二电极，其中，SiC外延层包括位于SiC衬底上表面的基区、嵌入在基区上表面交替分布的若干个发射区和若干个基极接触区，发射区与SiC衬底掺杂类型相同，与基区相反；基极接触区与基区掺杂类型相同，与SiC衬底相反；第一电极设置在SiC外延层上表面，由位于发射区上表面的若干个发射极以及位于基极接触区上表面的若干个基极短接组成。本发明通过在基区表面离子注入形成若干个均匀分布的发射区和基极接触区，并将基极与发射极短接，有效削弱正偏PN结在基区一侧由于少子注入引起的少子堆积效应，大幅提高了器件的钳位响应速度。 | ||
| 搜索关键词： | 欧姆 接触 基极 发射极 穿通型 sic tvs 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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