[发明专利]电荷耦合器件及图像传感器

摘要

本申请提供一种电荷耦合器件及图像传感器，涉及半导体技术领域，用于解决抗晕效果较差的技术问题，该电荷耦合器件包括衬底、存储单元组和抗晕结构，存储单元组包括两列存储单元，两列存储单元之间设有抗晕结构；每列存储单元包括设置在衬底内的N型埋层，抗晕结构包括设置在衬底内且位于相邻N型埋层之间的N型掺杂区、连接在N型埋层和N型掺杂区之间的第一掺杂层；第一掺杂层的导电类型为N型，且第一掺杂层的掺杂浓度低于N型埋层和N型掺杂区的掺杂浓度。第一掺杂层作为N型埋层和N型掺杂区之间的电子势垒，使N型埋层中存储电子，并作为N型埋层满阱后电子的溢出通道，使多出的电子可以溢出到N型掺杂区，起到较好的抗晕效果。