[发明专利]相变存储器及其形成方法、芯片在审
| 申请号： | 202310662121.1 | 申请日： | 2023-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN116867287A | 公开（公告）日： | 2023-10-10 |
| 发明（设计）人： | 杨海波;刘峻;付志成;陈玉 | 申请（专利权）人： | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B63/10 | 分类号： | H10B63/10;H10N70/00 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 高洁;张颖玲 |
| 地址： | 430014 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开实施例提出一种相变存储器及其制作方法、芯片。该相变存储器包括包括：由下至上层叠设置的第一地址线层、第一界面层、至少一个相变存储单元、第二地址线层；其中，第一地址线层包括至少一条沿第一方向延伸的第一地址线；第二地址线层包括至少一条沿第二方向延伸的第二地址线；第二方向与第一方向相交；相变存储单元与第一地址线和第二地址线均垂直；第一界面层包括至少一个第一界面结构；第一界面结构至少位于第一地址线与相变存储单元之间，用于增加相变存储单元与第一地址线之间的接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 及其 形成 方法 芯片 | ||
【主权项】：
暂无信息
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