[发明专利]一种高Q值微壳体谐振子石墨烯薄膜的制备方法

摘要

本发明提供了一种高Q值微壳体谐振子石墨烯薄膜的制备方法，属于镀膜处理技术领域。本发明提供的制备方法为首先将微壳体谐振子表面清洗、干燥后用夹具进行装夹，然后将夹具和导流体置于管道中，将管道预热后通入保护气体，继续加热至石墨烯生长温度后通入混合气体，设定生长时间为4～5h，使石墨烯在微壳体谐振子内壁直接生长，最后待石墨烯生长完成后，通入保护气体并冷却至283～303K，取出微壳体谐振子，微壳体谐振子内壁即覆盖有均匀平整的石墨烯薄膜。本发明提供的制备方法操作简单，无需石墨烯转移过程，镀膜无褶皱、低粗糙度、q值衰减小，可用于高精度微壳体谐振子的制备。