[发明专利]嵌入式闪存的形成方法在审
| 申请号： | 202310634101.3 | 申请日： | 2023-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN116568041A | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 于涛 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/40 | 分类号： | H10B41/40;H10B41/30 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种嵌入式闪存的形成方法，包括：提供衬底，分为闪存区和闪存区外围的逻辑区；在衬底的表面形成一层隧穿氧化层；在闪存区的隧穿氧化层上形成闪存结构，闪存结构包括栅堆叠结构、图案化的牺牲层、侧墙、字线栅和保护层；在保护层、图案化的牺牲层的表面和逻辑区的隧穿氧化层的表面形成多晶硅层，刻蚀多晶硅层，以形成位于逻辑区的隧穿氧化层的表面的多晶硅栅，浮栅层、介质层和控制栅层的厚度之和与多晶硅栅的厚度相同；去除图案化的牺牲层；刻蚀控制栅层、介质层和浮栅层的同时，刻蚀多晶硅栅，将多晶硅栅沿着多晶硅栅的径向分为若干段。本发明减少了工艺步骤；减小了相邻的栅极线尾之间的距离；防止了栅极线尾受到圆角的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 嵌入式 闪存 形成 方法 | ||
【主权项】：
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