[发明专利]嵌入式闪存的形成方法

说明书

本发明提供了一种嵌入式闪存的形成方法，包括：提供衬底，分为闪存区和闪存区外围的逻辑区；在衬底的表面形成一层隧穿氧化层；在闪存区的隧穿氧化层上形成闪存结构，闪存结构包括栅堆叠结构、图案化的牺牲层、侧墙、字线栅和保护层；在保护层、图案化的牺牲层的表面和逻辑区的隧穿氧化层的表面形成多晶硅层，刻蚀多晶硅层，以形成位于逻辑区的隧穿氧化层的表面的多晶硅栅，浮栅层、介质层和控制栅层的厚度之和与多晶硅栅的厚度相同；去除图案化的牺牲层；刻蚀控制栅层、介质层和浮栅层的同时，刻蚀多晶硅栅，将多晶硅栅沿着多晶硅栅的径向分为若干段。本发明减少了工艺步骤；减小了相邻的栅极线尾之间的距离；防止了栅极线尾受到圆角的影响。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种嵌入式闪存的形成方法。

背景技术

在一般逻辑工艺中，为了提高嵌入式闪存的密度，经常采用将多晶硅栅在多晶硅栅的长度方向分为若干段的方法。例如图1，在有源区114上形成闪存结构，多晶硅栅113跨接在有源区114上，在栅极线尾115处切割多晶硅栅113。

为了进一步降低栅极线尾之间的距离，在先进工艺中，如28nm以下工艺，常采用栅极线尾切割(Line-End-Cut)工艺，先形成重复的、单一方向的栅极图形，然后将两个栅极的尾部分割开。现有技术中，将多晶硅栅(栅极)在多晶硅栅的长度方向分为若干段的方法为，采用光罩在栅极线尾115处切割多晶硅栅113。

然而，现有技术存在三个缺点，1、使用光罩增加了额外的光刻与刻蚀工艺步骤，增加了工艺成本；2、在多晶硅栅的长度方向，相邻的栅极线尾115之间的距离较大；3、栅极线尾115受到了栅极线尾115的圆角的影响。

发明内容

本发明的目的在于提供一种嵌入式闪存的形成方法，1、可以减少光刻与刻蚀工艺步骤；2、在多晶硅栅的长度方向，相邻的栅极线尾之间的距离减小；3、可以防止栅极线尾受到了栅极线尾的圆角的影响。

为了达到上述目的，本发明提供了一种嵌入式闪存的形成方法，包括：

提供衬底，所述衬底分为闪存区和所述闪存区外围的逻辑区；

在所述闪存区的衬底和逻辑区的衬底的表面均形成一层隧穿氧化层；

在所述闪存区的隧穿氧化层上形成闪存结构，所述闪存结构包括栅堆叠结构、图案化的牺牲层、侧墙、字线栅和保护层，所述图案化的牺牲层位于所述栅堆叠结构的表面，所述栅堆叠结构和图案化的牺牲层均具有开口，所述侧墙和字线栅均位于所述开口内，所述侧墙位于所述字线栅和所述栅堆叠结构之间，所述保护层位于所述字线栅的表面，其中，所述栅堆叠结构包括依次堆叠的浮栅层、介质层和控制栅层；

在所述保护层、图案化的牺牲层的表面和所述逻辑区的隧穿氧化层的表面形成多晶硅层，刻蚀所述多晶硅层，以形成位于所述逻辑区的隧穿氧化层的表面的多晶硅栅，所述浮栅层、介质层和控制栅层的厚度之和与所述多晶硅栅的厚度相同；

去除所述图案化的牺牲层；

刻蚀所述控制栅层、介质层和浮栅层的同时，刻蚀所述多晶硅栅，将所述多晶硅栅沿着所述多晶硅栅的径向分为若干段。

可选的，在所述的嵌入式闪存的形成方法中，所述侧墙包括第一侧墙、第二侧墙和第三侧墙。

可选的，在所述的嵌入式闪存的形成方法中，在所述闪存区的隧穿氧化层上形成闪存结构的方法包括：

在所述闪存区的隧穿氧化层的表面依次形成浮栅层、介质材料层和控制栅层；

在所述控制栅层的表面形成图案化的牺牲层，所述图案化的牺牲层的开口暴露所述控制栅层的表面；

在所述图案化的牺牲层的开口内形成第一侧墙，所述第一侧墙覆盖所述图案化的牺牲层的开口的侧壁；

通过所述第一侧墙刻蚀所述浮栅层；