[发明专利]嵌入式闪存的形成方法

权利要求书

1.一种嵌入式闪存的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底分为闪存区和所述闪存区外围的逻辑区；

在所述闪存区的衬底和逻辑区的衬底的表面均形成一层隧穿氧化层；

在所述闪存区的隧穿氧化层上形成闪存结构，所述闪存结构包括栅堆叠结构、图案化的牺牲层、侧墙、字线栅和保护层，所述图案化的牺牲层位于所述栅堆叠结构的表面，所述栅堆叠结构和图案化的牺牲层均具有开口，所述侧墙和字线栅均位于所述开口内，所述侧墙位于所述字线栅和所述栅堆叠结构之间，所述保护层位于所述字线栅的表面，其中，所述栅堆叠结构包括依次堆叠的浮栅层、介质层和控制栅层；

在所述保护层、图案化的牺牲层的表面和所述逻辑区的隧穿氧化层的表面形成多晶硅层，刻蚀所述多晶硅层，以形成位于所述逻辑区的隧穿氧化层的表面的多晶硅栅，所述浮栅层、介质层和控制栅层的厚度之和与所述多晶硅栅的厚度相同；

去除所述图案化的牺牲层；

刻蚀所述控制栅层、介质层和浮栅层的同时，刻蚀所述多晶硅栅，以将所述多晶硅栅沿着所述多晶硅栅的径向分为若干段。

2.如权利要求1所述的嵌入式闪存的形成方法，其特征在于，所述侧墙包括第一侧墙、第二侧墙和第三侧墙。

3.如权利要求1所述的嵌入式闪存的形成方法，其特征在于，在所述闪存区的隧穿氧化层上形成闪存结构的方法包括：

在所述闪存区的隧穿氧化层的表面依次形成浮栅层、介质材料层和控制栅层；

在所述控制栅层的表面形成图案化的牺牲层，所述图案化的牺牲层的开口暴露所述控制栅层的表面；

在所述图案化的牺牲层的开口内形成第一侧墙，所述第一侧墙覆盖所述图案化的牺牲层的开口的侧壁；

通过所述第一侧墙刻蚀所述浮栅层；

形成第二侧墙，所述第二侧墙覆盖所述浮栅层的侧壁；

通过所述第二侧墙刻蚀所述介质层和浮栅层；

形成第三侧墙，所述第三侧墙覆盖所述第一侧墙、第二侧墙、介质层和浮栅层的侧壁，所述第三侧墙形成有开口；

向所述第三侧墙形成的开口内填充多晶硅，以形成字线栅；

在所述字线栅上形成保护层。

4.如权利要求3所述的嵌入式闪存的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料包括：氮化物或者氧化物。

5.如权利要求3所述的嵌入式闪存的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙和第三侧墙的材料均包括：氧化物。

6.如权利要求3所述的嵌入式闪存的形成方法，其特征在于，所述第二侧墙的材料包括：氮化物。

7.如权利要求1所述的嵌入式闪存的形成方法，其特征在于，所述闪存区和逻辑区通过浅沟槽隔离结构隔开。

8.如权利要求1所述的嵌入式闪存的形成方法，其特征在于，所述图案化的牺牲层的材料包括氮化物。

9.如权利要求1所述的嵌入式闪存的形成方法，其特征在于，所述浮栅层、控制栅层和字线栅的材料均包括多晶硅。

10.如权利要求1所述的嵌入式闪存的形成方法，其特征在于，所述介质层包括ONO层。