[发明专利]一种AlN/HfO2在审

专利信息
申请号: 202310630017.4 申请日: 2023-05-26
公开(公告)号: CN116646034A 公开(公告)日: 2023-08-25
发明(设计)人: 余念念;叶锋宇;汪礼胜;王嘉赋 申请(专利权)人: 武汉理工大学
主分类号: G16C60/00 分类号: G16C60/00;H01L29/792;H10B43/30;G16C20/00
代理公司: 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 代理人: 李锡义
地址: 430070 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供了一种AlN/HfO2界面结构设计方法及装置,包括:建立AlN/HfO2的第一界面模型;对第一界面模型的界面结构进行优化,得到预设个数的第二界面模型;其中,每个第二界面模型对应的界面结构中的氧含量不同;对每个第二界面模型对应的界面结构进行优化,得到每个第二界面模型对应的能量值;计算得到每个第二界面模型对应的电子俘获能和空穴俘获能;根据电子俘获能和空穴俘获能,确定具有高电子俘获能的第三界面模型对应的界面结构。本发明通过计算氧含量不同的第二界面模型的电子俘获能和空穴俘获能,确定具有高电子俘获能的第三界面模型对应的界面结构,解决了无法快速筛选出具有高电子俘获能力的界面结构,导致实验数据难以分析,浪费大量时间的问题。
搜索关键词: 一种 aln hfo base sub
【主权项】:
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